Infocommunications and Radio Technologies Infocommunications and Radio Technologies ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 2587-9936 52849 10.15826/icrt.2019.02.1.03 ФИЗИКА (01.04.00) PHYSICS (01.04.00) ФИЗИКА (01.04.00) Relaxation processes in the irradiated bipolar and MOS devices Процессы релаксации в облученных биполярных и МОП-приборах Богатырев Юрий Владимирович Bogatyrev Yuri Vladimirovich bogat@ifttp.bas-net.by

доктор технических наук;

doctor of technical sciences;

 Ластовский Станислав Брониславович Lastovski Stanislav B lastov@ifttp.bas-net.by Огородников Дмитрий Александрович Ogorodnikov Dmitriy A Кетько Александр Владимирович Ket’ko Alexander V office@bms.by Козловский Виктор Антонович Kozlovski Victor A office@bms.by Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению Минск Беларусь Scientific and Practical Center of the National Academy of Sciences of Belarus for Materials Science Minsk Belarus Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению ru Scientific-Practical Materials Research Centre NAS of Belarus ru Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению ru Scientific-Practical Materials Research Centre NAS of Belarus ru ОАО «Интеграл» ru Joint Stock Company «Integral» ru ОАО «Интеграл» ru Joint Stock Company «Integral» ru 25 03 2019 25 03 2019 2 1 22 32 20 03 2019 https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/52849/view

Рассмотрены релаксационные процессы, проявляющиеся в конденсаторных и транзисторных МОП-структурах, КМОП интегральных микросхемах на их основе, а также биполярных транзисторных структурах, облученных быстрыми электронами с энергией 4 МэВ или гамма-квантами Со60. Релаксация (отжиг) радиационно-индуцированного заряда в SiO2 может происходить за счет туннелирования электронов в окисел из кремния (у n-канальных МОПструктур) или из металла (у р-канальных МОП-структур). Рекомендуется, учитывая релаксационные процессы, для получения адекватных результатов при испытаниях биполярных и МОП-приборов на радиационную стойкость соблюдать одинаковое время, прошедшее после окончания облучения и до проведения контрольных измерений (в пределах каждой партии однотипных образцов).

The relaxation processes appeared in condenser and transistor MOS structures, СМОS integrated circuits on their basis, and also bipolar transistor structures, irradiated by fast electrons with energy of 4 MeV or gamma-quantum’s Co60 are observed. The relaxation (annealing) of the radiation-induced charge in SiO2 can occur at the expense of electrons tunneling in oxide from silicon (at n-channel MOS structures) or from metal (at p-channel MOS structures). It is recommended, considering relaxation processes, for reception of adequate results at tests of bipolar and MOS-devices for radiation hardness to observe the equal time last after the termination of irradiation and before conducting of control measurements (within each party of the same samples).

 релаксационные процессы конденсаторные и транзисторные МОП-структуры интегральная микросхема биполярные транзисторные структуры радиационная стойкость гамма-излучение электронное излучение relaxation processes condenser and transistor MOS structures integrated circuit bipolar transistor structures radiation hardness gamma radiation electron radiation

Коршунов Ф. П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск : Наука и техника, 1986. 254 с. Korshunov F. P., Bogatyrev Yu. V., Vavilov V. A. Vozdeystvie radiacii na integral'nye mikroshemy. Minsk : Nauka i tehnika, 1986. 254 s. Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М. : Энергоатомиздат, 1988. 256 с. Pershenkov V. S., Popov V. D., Shal'nov A. V. Poverhnostnye radiacionnye effekty v elementah integral'nyh mikroshem. M. : Energoatomizdat, 1988. 256 s. Ма Т. Р., Dressendorfer P. V. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits. New York. : John Wiley & Sons, 1989. 587 p. Ma T. R., Dressendorfer P. V. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits. New York. : John Wiley & Sons, 1989. 587 p. Чумаков А. И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М.: Радио и связь, 2004. 320 с. Chumakov A. I. Deystvie kosmicheskoy radiacii na integral'nye shemy. M.: Radio i svyaz', 2004. 320 s. Першенков В. С. Дозовые эффекты в изделиях микроэлектроники при воздействии ионизирующих излучений // Радиационная стойкость изделий ЭКБ : Научное издание. М. : НИЯУ МИФИ, 2015. С. 93-130. Pershenkov V. S. Dozovye effekty v izdeliyah mikroelektroniki pri vozdeystvii ioniziruyuschih izlucheniy // Radiacionnaya stoykost' izdeliy EKB : Nauchnoe izdanie. M. : NIYaU MIFI, 2015. S. 93-130. Зебрев Г. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах высокой степени интеграции. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. 149 с. Zebrev G. I. Radiacionnye effekty v kremnievyh integral'nyh shemah vysokoy stepeni integracii. M. : NIYaU MIFI, 2010. 149 s.