Infocommunications and Radio Technologies Infocommunications and Radio Technologies ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 2587-9936 52881 ЭЛЕКТРОНИКА (05.27.00) ELECTRONICS (05.27.00) ЭЛЕКТРОНИКА (05.27.00) High-speed switching diodes Быстровосстанавливающиеся кремниевые диоды Малаховский Олег Юрьевич Malakhovskiy Oleg Yu moy@niipp.ru Фотина Любовь Владимировна Fotina Liubov V Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов ru Scientific & Research Institute of Semiconductor Devices ru Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов ru Scientific & Research Institute of Semiconductor Devices ru 25 09 2019 25 09 2019 2 3 411 415 20 09 2019 https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/52881/view

Представлены результаты исследования зависимости параметров быстродействующих импульсных кремниевых диодов, изготовленных на эпитаксиальных структурах кремния n-типа с различной концентрацией примеси, от диффузии примеси золота.

The results of studies of the effect gold-to-silicon diffusion for the electrical parameters of silicon high-speed switching diodes are presented.

 обратное восстановление р-п переход p-область n-область диффузия диффузия золота эпитаксиальная структура быстровосстанавливающийся диод время обратного восстановления high-speed diodes p-n junction reverse recovery time

Кирюхин А. Д., Григорьев В. В., Зуев А. В., Зуев В. В. Особенности проявления акцепторного состояния золота в кремнии с термодонорами // ФТП. 2008. Т. 42, вып.3. С. 271-275. Kiryuhin A. D., Grigor'ev V. V., Zuev A. V., Zuev V. V. Osobennosti proyavleniya akceptornogo sostoyaniya zolota v kremnii s termodonorami // FTP. 2008. T. 42, vyp.3. S. 271-275. Верховодов В. И., Носов Ю. Р., Склярук А. М., Тарасевич А. И., Тарасиков М. В. Кремниевый быстродействующий микродиод // Электронная техника. 1990. Вып. 4 (207). С. 91-95. Verhovodov V. I., Nosov Yu. R., Sklyaruk A. M., Tarasevich A. I., Tarasikov M. V. Kremnievyy bystrodeystvuyuschiy mikrodiod // Elektronnaya tehnika. 1990. Vyp. 4 (207). S. 91-95.