Infocommunications and Radio Technologies Infocommunications and Radio Technologies ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 2587-9936 52882 ЭЛЕКТРОНИКА (05.27.00) ELECTRONICS (05.27.00) ЭЛЕКТРОНИКА (05.27.00) Size effects in the processes of large ion implantation into n-GaAs(100) epitaxial layers Размерные эффекты в процессах имплантации тяжелых ионов в эпитаксиальные слои n-GaAs Торхов Николай Анатольевич Torkhov Nikolay A trkf@mail.ru Кривчук Александр Сергеевич Krivchuk Aleksandr S Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов ru Research Institute of Semiconductor Devices ru Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов ru Research Institute of Semiconductor Devices ru 25 09 2019 25 09 2019 2 3 416 426 20 09 2019 https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/52882/view

В локальном приближении исследовано влияние процессов имплантации ионов хлора Cl++ в эпитаксиальные слои арсенида галлия GaAs { 100 } на фрактальные размерности Dfфункциональных пространств S слоевых сопротивлений RSH эпитаксиальных слоев n-GaAs S (RSH) и функциональных пространств S (rc) удельных сопротивлений сплавных rc омических контактов. Обнаружено изменение внутренней геометрии исследуемых объектов под воздействием облучения.

The paper investigates in local approximation the influence of the processes of Cl++ ion implantation into gallium arsenide GaAs{100} epitaxial layers on fractal dimensions Df of functional spaces S (RSH) of n-GaAs epitaxial layer sheet resistances RSH and functional spaces S( rc ) of alloyed ohmic contact specific resistances rc. It is found out that the internal geometry of the studied objects is changed under the action of irradiation.

 имплантация тяжелые ионы размерный эффект арсенид галлия гетероэпитаксиальные структуры implantation large ions size effect gallium arsenide heteroepitaxial structures

Комаров Ф. Ф., Комаров А. Ф. Физические процессы при ионной имплантации в твердые тела. Минск : УП «Технопринт», 2001. Komarov F. F., Komarov A. F. Fizicheskie processy pri ionnoy implantacii v tverdye tela. Minsk : UP «Tehnoprint», 2001. Nastasi M., Mayer J. W. Ion Implantation and Synthesis of Materials. Springer Series in Materials Science. 2006. 266 p. Nastasi M., Mayer J. W. Ion Implantation and Synthesis of Materials. Springer Series in Materials Science. 2006. 266 p. Новицкий С. В. Методологические аспекты измерения удельного контактного сопротивления TLM методом с линейной и радиальной геометрией контактов. Материалы электронной техники. Петербургский журнал электроники. 2013. Т. 3. С. 59-71. Novickiy S. V. Metodologicheskie aspekty izmereniya udel'nogo kontaktnogo soprotivleniya TLM metodom s lineynoy i radial'noy geometriey kontaktov. Materialy elektronnoy tehniki. Peterburgskiy zhurnal elektroniki. 2013. T. 3. S. 59-71. Торхов Н. А., Новиков В. А., Ивонин И. В. Влияние размерных эффектов на контактное сопротивление омических контактов. В кн. : 25-я Междунар. Крымская конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» - КрыМиКо’2015 (Севастополь, 6-12 сент. 2015 г.). 2015. С. 609-610. Torhov N. A., Novikov V. A., Ivonin I. V. Vliyanie razmernyh effektov na kontaktnoe soprotivlenie omicheskih kontaktov. V kn. : 25-ya Mezhdunar. Krymskaya konf. «SVCh-tehnika i telekommunikacionnye tehnologii» - KryMiKo’2015 (Sevastopol', 6-12 sent. 2015 g.). 2015. S. 609-610. Торхов Н. А. Размерные эффекты в электрических характеристиках омических контактов к AlGaN/GaN гетероэпитаксиальным структурам. 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. «Мокеровские чтения». Москва, 25 мая 2016 г. С. 51-52. Torhov N. A. Razmernye effekty v elektricheskih harakteristikah omicheskih kontaktov k AlGaN/GaN geteroepitaksial'nym strukturam. 7-ya Mezhdunarodnaya nauchno-prakticheskaya konferenciya po fizike i tehnologii nanogeterostrukturnoy SVCh-elektroniki. «Mokerovskie chteniya». Moskva, 25 maya 2016 g. S. 51-52. Колмогоров А. Н., Фомин С. В. Элементы теории функций и функционального анализа. М. : Наука, 1976. 543 с. Kolmogorov A. N., Fomin S. V. Elementy teorii funkciy i funkcional'nogo analiza. M. : Nauka, 1976. 543 s. Torkhov N. A. Method to Determine the Interface’s Fractal Dimensions of Metal-Semiconductor Electric Contacts from Their Static Instrumental Characteristics // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2010. Vol. 4, No. 1. Pp. 45-58. Torkhov N. A. Method to Determine the Interface’s Fractal Dimensions of Metal-Semiconductor Electric Contacts from Their Static Instrumental Characteristics // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2010. Vol. 4, No. 1. Pp. 45-58. Torkhov N. A., Babak L. I., Kokolov A. A. The Influence of AlGaN/GaN Heteroepitaxial Structure Fractal Geometry on Size Effects in Microwave Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs // Symmetry. 2019, 11, 1495. Torkhov N. A., Babak L. I., Kokolov A. A. The Influence of AlGaN/GaN Heteroepitaxial Structure Fractal Geometry on Size Effects in Microwave Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs // Symmetry. 2019, 11, 1495. Торхов Н. А. Слоевое сопротивление TiAlNiAu тонкопленочной металлизации омических контактов к нитридным полупроводниковым структурам // ФТП. 2019. Т. 53, № 1. С. 32-40. Torhov N. A. Sloevoe soprotivlenie TiAlNiAu tonkoplenochnoy metallizacii omicheskih kontaktov k nitridnym poluprovodnikovym strukturam // FTP. 2019. T. 53, № 1. S. 32-40.