Представлены результаты применения разработанной и интегрированной в программный продукт компании Cadence компактной модели МОП - транзистора для оценки радиационной стойкости схемы токового зеркала и 6Т SRAM со схемой управления чтением/записью при совместном или раздельном воздействии рентгеновского и нуклидного 60Co источников ионизирующего излучения.
The results of the application compact MOSFET model developed and integrated into the Cadence software product for assessing hardness of the circuit of current mirror and 6T SRAM with the read / write control circuit when combined or separately exposed to x-ray and nuclide 60Co ionizing radiation sources are presented.