Infocommunications and Radio Technologies Infocommunications and Radio Technologies ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 2587-9936 69496 10.29039/2587-9936.2023.06.1.04 Электроника, фотоника, приборостроение и связь (2.2) ELECTRONICS, PHOTONICS, INSTRUMENTATION AND COMMUNICATIONS (2.2) Электроника, фотоника, приборостроение и связь (2.2) Memory Cell Based on Crossed Nanowires Ячейка памяти на основе пересекающихся нанопроводов Обухов Илья Андреевич Obukhov Ilya Andreevich iao001@mail.ru

доктор физико-математических наук;

doctor of physical and mathematical sciences;

 Обухов Илья Ильич Obukhov Ilya I. Научно-производственное предприятие «Радиотехника» Москва Россия Scientific-Industrial Company “Radiotechnika” Moscow Russian Federation Научно-производственное предприятие «Радиотехника» Москва Россия Scientific-Industrial Company “Radiotechnika” Moscow Russian Federation 30 05 2023 30 05 2023 6 1 44 52 17 05 2023 20 05 2023 https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/69496/view

Представлены конструкция и расчеты основных характеристик ячейки памяти на основе пересекающихся нанопроводов различного поперечного сечения. Функционирование устройства возможно, если поперечные размеры нанопроводов обеспечивают размерное квантование энергии электронов в рабочей области температур. В этом случае области пересечения нанопроводов различного поперечного сечения представляют собой квантовые ямы для электронов. Управляемое приложенным напряжением туннелирование электронов между квантовыми ямами обеспечивает запись информации. Скорость записи может достигать 1 Пбайт/с (1015 байт/с).

The design and calculations of basic characteristics of memory cell based on crossed nanowires with different cross-sections are presented. The device operation is possible if the transverse dimensions of the nanowires provide dimensional quantization of the electron energy in the working temperature values. In this case, the intersecting regions of nanowires with different cross-sections are the quantum wells for electrons. Tunneling of electrons between quantum wells controlled by applied voltage provides information recording. The write rate of cell can reach Pbytes/s =〖10〗^15 bytes/s.

 память нанопровод размерное квантование полупроводник квантовый прибор memory nanowire dimensional quantization semiconductor quantum device

Статические характеристики пересекающихся квантовых проводов / И. А. Обухов и др. В сб. : 14-я Междунар. Крымская конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» - КрыМиКо’2004 (Севастополь, 13-17 сент. 2004 г.). 2004. С. 507-511. I. A. Obukhov, I. I. Kvyatkevich, A. A. Lavrenchuk, S. V. Rumyantsev, “Static Characteristics of Crossed Quantum Wires. In : 2004 14th International Conference “Microwave & Telecommunication Technology” (CriMiCo’2004), September 13-17, 2004. Sevastopol : Weber Publ. Co., 2004, pp. 507-511. (In Russ.). Obukhov I. A. Planar One-Dimensional Quantum Devices // Nanoscience and Nanotechnology. 2013. Vol. 3, no 5. Р. 115-122. I. A. Obukhov, “Planar One-Dimensional Quantum Devices,” Nanoscience and Nanotechnology, v. 3, no 5, pp. 115-122, 2013, doi: 10.5923/j.nn.20130305.02 Обухов И. А. Моделирование переноса заряда в мезоскопических структурах. Москва - Киев - Минск - Севастополь : «Вебер», 2005. 226 с. I. A. Obukhov, Modeling of Charge Transfer in Mesoscopic Structures, Moscow-Kyiv - Minsk-Sevastopol, Weber Publ. Co., 2005. (In Russ.). Hartman T. E. Tunneling of a Wave Packet. // J. Appl. Phys. 1962. Vol. 33, no. 12. P. 3427-3433. T. E. Hartman, “Tunneling of a Wave Packet,” J. Appl. Phys., vol. 33, no. 12, pp. 3427-3433, 1962, doi: 10.1063/1.1702424.