Infocommunications and Radio Technologies

ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

2587-9936

52823

10.15826/icrt.2018.01.1.07

ЭЛЕКТРОНИКА (05.27.00)

ELECTRONICS (05.27.00)

ЭЛЕКТРОНИКА (05.27.00)

Calculation-experimental determination of CMOS- integrated microcircuits’ radiation hardness under the influence of gamma radiation

Расчетно-экспериментальное определение радиационной стойкости КМОП - интегральных микросхем при воздействии гамма излучения

Богатырев

Ю В

Bogatyrev

Yu V

bogat@ifttp.bas-net.by

Ластовский

С Б

Lastovski

S B

Шведов

С В

Shwedov

S V

office@bms.by

Лозицкий

Е Г

Lozitski

E G

office@bms.by

Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению ru Scientific-Practical Materials Research Centre NAS of Belarus ru

ОАО «Интеграл» ru Joint Stock Company “Integral” ru

25 03 2018

1 1 95 102 20 03 2018

https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/52823/view

Представлены результаты расчетно-экспериментального определения (прогнозирования) радиационной стойкости двух типов КМОП интегральных микросхем (интерфейсных приемопередатчиков, схем памяти) при воздействии гамма-излучения Со60. Получены аналитические дозовые зависимости параметров тестовых МОП-транзисторов и КМОП больших интегральных схем.

The results of calculation-experimental determination (forecasting) of two types of CMOS-integrated microcircuits’ radiation hardness (interface transceivers, memory units) under the influence of Co60 gamma radiation are submitted. Analytical dose dependences of parameters of test MOS transistors and CMOS large-scale integrated circuits are obtained.

радиационная стойкость интегральная микросхема транзистор гамма-излучение прогнозирование

radiation hardness integrated microcircuit transistor gamma radiation forecasting

Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М. : Энергоатомиздат, 1988. 256 с.

Pershenkov V. S., Popov V. D., Shal'nov A. V. Poverhnostnye radiacionnye effekty v elementah integral'nyh mikroshem. M. : Energoatomizdat, 1988. 256 s.

Коршунов Ф. П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск : Наука и техника, 1986. 254 c.

Korshunov F. P., Bogatyrev Yu. V., Vavilov V. A. Vozdeystvie radiacii na integral'nye mikroshemy. Minsk : Nauka i tehnika, 1986. 254 c.

Чумаков А. И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М. : Радио и связь, 2004. 320 с.

Chumakov A. I. Deystvie kosmicheskoy radiacii na integral'nye shemy. M. : Radio i svyaz', 2004. 320 s.

Claeys C., Simoen Е. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices. Berlin : Springer, 2002. 402 с.

Claeys C., Simoen E. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices. Berlin : Springer, 2002. 402 s.

Barnaby H. J. Total-Ionizing-Dose Effects in Modern CMOS Technologies // IEEE Trans. Nucl. Science. 2006. Т. 53, № 6. С. 3103-3121.

Barnaby H. J. Total-Ionizing-Dose Effects in Modern CMOS Technologies // IEEE Trans. Nucl. Science. 2006. T. 53, № 6. S. 3103-3121.

Согоян А. В., Никифоров А. Ю., Чумаков А. И. Подход к прогнозированию радиационной деградации параметров КМОП ИС с учетом сроков и условий эксплуатации // Микроэлектроника. 1999. Т. 28, № 4. С. 263-275.

Sogoyan A. V., Nikiforov A. Yu., Chumakov A. I. Podhod k prognozirovaniyu radiacionnoy degradacii parametrov KMOP IS s uchetom srokov i usloviy ekspluatacii // Mikroelektronika. 1999. T. 28, № 4. S. 263-275.

Метод прогнозирования радиационной стойкости КМОП-интегральных схем / Коршунов Ф. П., Богатырев Ю. В., Белоус А. И., Шведов С. В., Ластовский С. Б., Кульгачев В. И. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2009. Вып. 1. С. 45-49.

Metod prognozirovaniya radiacionnoy stoykosti KMOP-integral'nyh shem / Korshunov F. P., Bogatyrev Yu. V., Belous A. I., Shvedov S. V., Lastovskiy S. B., Kul'gachev V. I. // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. 2009. Vyp. 1. S. 45-49.