Infocommunications and Radio Technologies Infocommunications and Radio Technologies ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 2587-9936 52865 10.15826/icrt.2019.02.2.19 ГЛАВНАЯ РУБРИКА MAIN SECTION ГЛАВНАЯ РУБРИКА Production and research of a molecular single-electron transistor Изготовление и исследование молекулярного одноэлектронного транзистора Морозова Елизавета Константиновна Morozova Elizaveta K Лялина Анна Максимовна Lyalina Anna M Сапков Иван Владимирович Sapkov Ivan V Белоглазкина Елена Кимовна Beloglazkina Elena K Солдатов Евгений Сергеевич Soldatov Eugene S esold@phys.msu.ru Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Центр квантовых технологий МГУ имени М.В. Ломоносова ru Lomonosov Moscow State University ; The Center for Quantum Technologies of M. V. Lomonosov Moscow State University ru Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Центр квантовых технологий МГУ имени М.В. Ломоносова ru Lomonosov Moscow State University ; The Center for Quantum Technologies of M. V. Lomonosov Moscow State University ru Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Центр квантовых технологий МГУ имени М.В. Ломоносова ru Lomonosov Moscow State University ; The Center for Quantum Technologies of M. V. Lomonosov Moscow State University ru Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова ru Lomonosov Moscow State University ru Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Центр квантовых технологий МГУ имени М.В. Ломоносова ru Lomonosov Moscow State University ; The Center for Quantum Technologies of M. V. Lomonosov Moscow State University ru 25 06 2019 25 06 2019 2 2 204 215 20 06 2019 https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/52865/view

Изготовлен тонкопленочный молекулярный одноэлектронныйтранзисторс молекулойаурофильного производного терпиридина на основе атома Rh. Разработана методика изоляции боковых затворов транзистора, показано, что сопротивление изоляции затвора превышает 1ТОм, что надежно обеспечивает полевой характер воздействия управляющего электрода на остров транзистора. Измерения вольтамперных характеристик изготовленных транзисторов при Т=77,4 К показали, что они обладают блокадными участками 500-800 мВ, что указывает на коррелированный (одноэлектронный) характер транспорта электронов в полученном транзисторе и формирование, учитывая строение используемой молекулы, атомного одноэлектронного транзистора на основе одиночного атома родия.

A thin-film single-electron molecular transistor with a molecule an aurophilic derivative of terpiridine based on the Rh atom was manufactured. A technique has been developed for isolating the side gates of the transistor, it is shown that the insulation resistance of the gate exceeds 1T, which reliably provides the field effect of the control electrode on the island of the transistor. Measurements of the current-voltage characteristics of the fabricated transistors at T=77.4 K showed that they have Coulomb blockade sections of 500-800 mV, which indicates a correlated (single-electron) nature of the electron transport in the resulting transistor and the formation, taking into account the structure of the molecule used, of a single-electron atomic transistor based on single atom of rhodium.

 одноэлектронное туннелирование молекулы нанолитография наноструктуры нанотранзистор наноэлектроника молекулярная электроника single-electron tunneling molecules nanolithography nanostructures nanotransistor nanoelectronics molecular electronics

Averin D. V. and Likharev K. K. Single-electronics : Correlated transfer of single electrons and Cooper pairs in small tunnel junctions // Mesoscopic Phenomena in Solids, 1991. Т. 30. С. 173. Averin D. V. and Likharev K. K. Single-electronics : Correlated transfer of single electrons and Cooper pairs in small tunnel junctions // Mesoscopic Phenomena in Solids, 1991. T. 30. S. 173. Likharev K. K. Single-electron devices and their applications // Proceedings of the IEEE. 1999. Т. 87, № 4. С. 606. Likharev K. K. Single-electron devices and their applications // Proceedings of the IEEE. 1999. T. 87, № 4. S. 606. Beloglazkina E. K., Majouga A. G., Manzheliy E. A. et al. Mononuclear ruthenium(II) and rhodium(III) complexes with S-[4-(2,2:6′,2″-terpyridin-4′-yl)phenoxy]butyl ethanethioate and 4′-[4-(1,2-dithiolane-3-yl)butylcarboxy)phenyl]-2,2′:6′,2″-terpyridine : Synthesis, electrochemistry, antibacterial activity and catalytical application // Polyhedron, 2015. Т. 85. С. 800-808. Beloglazkina E. K., Majouga A. G., Manzheliy E. A. et al. Mononuclear ruthenium(II) and rhodium(III) complexes with S-[4-(2,2:6′,2″-terpyridin-4′-yl)phenoxy]butyl ethanethioate and 4′-[4-(1,2-dithiolane-3-yl)butylcarboxy)phenyl]-2,2′:6′,2″-terpyridine : Synthesis, electrochemistry, antibacterial activity and catalytical application // Polyhedron, 2015. T. 85. S. 800-808. Hu W. et al. Sub-10 nm electron beam lithography using cold development of poly (methylmethacrylate) //J. Vac. Sci. & Tech. B. 2004. V. 22. № 4. P. 1711. Hu W. et al. Sub-10 nm electron beam lithography using cold development of poly (methylmethacrylate) //J. Vac. Sci. & Tech. B. 2004. V. 22. № 4. P. 1711. Park H. et al. Fabrication of metallic electrodes with nanometer separation by electromigration //Applied Physics Letters. 1999. Т. 75. № 2. С. 301-303. Park H. et al. Fabrication of metallic electrodes with nanometer separation by electromigration //Applied Physics Letters. 1999. T. 75. № 2. S. 301-303. Dagesyan S. A., Stepanov A. S., Soldatov E. S. et al. Properties of Extremely Narrow Gaps Between Electrodes of a Molecular Transistor // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. 2015. Т. 28. С. 787-790. Dagesyan S. A., Stepanov A. S., Soldatov E. S. et al. Properties of Extremely Narrow Gaps Between Electrodes of a Molecular Transistor // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. 2015. T. 28. S. 787-790. Parshintsev A. A., Shorokhov V. V., Soldatov E. S. Study possibility of building a single-electron transistor based on a molecule with single atom charge center // Bull. Russ. Acad. Sci. Physics. 2017. Т. 81, № 1. С. 38. Parshintsev A. A., Shorokhov V. V., Soldatov E. S. Study possibility of building a single-electron transistor based on a molecule with single atom charge center // Bull. Russ. Acad. Sci. Physics. 2017. T. 81, № 1. S. 38.