Infocommunications and Radio Technologies Infocommunications and Radio Technologies ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 2587-9936 52866 10.15826/icrt.2019.02.2.20 ГЛАВНАЯ РУБРИКА MAIN SECTION ГЛАВНАЯ РУБРИКА Investigation of AuNi/n-n+-GaN crystals of Schottky diodes by atomic force microscopy Исследование кристаллов AuNi/n-n+-GaN диодов Шоттки методами атомно-силовой микроскопии https://orcid.org/0000-0001-8902-6319 Торхов Николай Анатольевич Torkhov Nikolay A. trkf@mail.ru

кандидат физико-математических наук;

candidate of physical and mathematical sciences;

 Новиков Вадим Александрович Novikov Vadim A Севастопольский государственный университет Севастополь Россия Sevastopol State University Sevastopol Russian Federation Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов; Томский государственный университет; Томский университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) Томск Россия Scientific-Research Institute of Semiconductor Devices; Tomsk State University; State University of Control Systems and Radioelectronics Tomsk Russian Federation Томский государственный университет ru Tomsk State University ru 25 06 2019 25 06 2019 2 2 216 226 20 06 2019 https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/52866/view

С использованием метода зонда Кельвина АСМ экспериментально подтверждено наличие составляющей E* электростатического поля периферии El, оказывающего значительное влияние на электростатическую систему AuNi/n-GaN контактов Шоттки.

The component of electrostatic field (E*) of periferia (El) was found by atomic force microscopy. The E* has a significant effect on the electrostatic system of AuNi / n-GaN Schottky contacts, that was experimentally confirmed.

 нитрид галлия барьер Шоттки омический контакт работа выхода поверхность метод зонда Кельвина АСМ электрическое поле периферии gallium nitride Schottky barrier ohmic contact work function surface KPFM peripheral electric field

Torkhov N. A., Novikov V. A. The Effect of the Periphery of Metal-Semiconductor Schottky-Barrier Contacts on their Electrical Characteristics // Semiconductors. 2011. T. 45, № 1. C. 69-84. Torkhov N. A., Novikov V. A. The Effect of the Periphery of Metal-Semiconductor Schottky-Barrier Contacts on their Electrical Characteristics // Semiconductors. 2011. T. 45, № 1. C. 69-84. Torkhov N. A. Effect of the Periphery of Metal-Semiconductor Contacts with Schottky Barriers on their Static Current-Voltage Characteristic // Semiconductors. 2010. T. 44, № 5. C. 1-12. Torkhov N. A. Effect of the Periphery of Metal-Semiconductor Contacts with Schottky Barriers on their Static Current-Voltage Characteristic // Semiconductors. 2010. T. 44, № 5. C. 1-12. Торхов Н. А., Божков В. Г., Ивонин И. В., Новиков В. А. Исследование распределения потенциала на локально металлизированной поверхности n-GaAs методом атомно-силовой микроскопии // Поверхность. 2009. T. 11. C. 1-10. Torhov N. A., Bozhkov V. G., Ivonin I. V., Novikov V. A. Issledovanie raspredeleniya potenciala na lokal'no metallizirovannoy poverhnosti n-GaAs metodom atomno-silovoy mikroskopii // Poverhnost'. 2009. T. 11. C. 1-10. Торхов Н. А., Божков В. Г., Гущин С. М., Новиков В. А. Оптимизация умножительного диода Шоттки миллиметрового диапазона // 22-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Севастополь, 2012. C. 635-636. Torhov N. A., Bozhkov V. G., Guschin S. M., Novikov V. A. Optimizaciya umnozhitel'nogo dioda Shottki millimetrovogo diapazona // 22-ya Mezhdunarodnaya Krymskaya konferenciya SVCh-tehnika i telekommunikacionnye tehnologii. Sevastopol', 2012. C. 635-636. Торхов Н. А., Новиков В. А., Мармалюк А. А., Рябоштан Ю. Л. Влияние морфологии поверхности на приборные характеристикипланарных InP/GaAs диодов Шоттки миллиметрового диапазона // 22-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Севастополь, 2012. C. 633-634. Torhov N. A., Novikov V. A., Marmalyuk A. A., Ryaboshtan Yu. L. Vliyanie morfologii poverhnosti na pribornye harakteristikiplanarnyh InP/GaAs diodov Shottki millimetrovogo diapazona // 22-ya Mezhdunarodnaya Krymskaya konferenciya SVCh-tehnika i telekommunikacionnye tehnologii. Sevastopol', 2012. C. 633-634. Торхов Н. А., Божков В. Г., Новиков В. А., Ивонин И. В. Исследование электрических полей Ni/GaN контактов металл - полупроводник с барьером Шоттки методами атомно-силовой микроскопии // 25-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Севастополь, 2015. C. 611-612. Torhov N. A., Bozhkov V. G., Novikov V. A., Ivonin I. V. Issledovanie elektricheskih poley Ni/GaN kontaktov metall - poluprovodnik s bar'erom Shottki metodami atomno-silovoy mikroskopii // 25-ya Mezhdunarodnaya Krymskaya konferenciya SVCh-tehnika i telekommunikacionnye tehnologii. Sevastopol', 2015. C. 611-612. Cornelia M., Carolus J., Krämer M. Gallium nitride-based microwave high-power heterostructure field-effect transistors : design, technology, and characterization. Eindhoven : Technische Universiteit Eindhoven. 2006. Proefschrift. Cornelia M., Carolus J., Krämer M. Gallium nitride-based microwave high-power heterostructure field-effect transistors : design, technology, and characterization. Eindhoven : Technische Universiteit Eindhoven. 2006. Proefschrift. Торхов Н. А. Влияние электростатического поля периферии на вентильный фотоэффект в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки // ФТП. 2018. T. 52, № 10. C. 1150. Torhov N. A. Vliyanie elektrostaticheskogo polya periferii na ventil'nyy fotoeffekt v kontaktah metall-poluprovodnik s bar'erom Shottki // FTP. 2018. T. 52, № 10. C. 1150. Мамедов Р. К. Контакты металл - полупроводник с электрическим полем пятен. Баку : БГУ, 2003. Mamedov R. K. Kontakty metall - poluprovodnik s elektricheskim polem pyaten. Baku : BGU, 2003. Торхов Н. А. Влияние фото-ЭДС на токопрохождение в контактах металл - полупроводник с барьером Шоттки // ФТП. 2011. T. 45, № 7.C. 965-973. Torhov N. A. Vliyanie foto-EDS na tokoprohozhdenie v kontaktah metall - poluprovodnik s bar'erom Shottki // FTP. 2011. T. 45, № 7.C. 965-973. Торхов Н. А. Поверхностный потенциал контактов металл - полупроводник с барьером Шоттки // Известия ВУЗов. Физика. 2008. Депонировано в ВИНИТИ № 334-В2008 от 18.04.2008. Torhov N. A. Poverhnostnyy potencial kontaktov metall - poluprovodnik s bar'erom Shottki // Izvestiya VUZov. Fizika. 2008. Deponirovano v VINITI № 334-V2008 ot 18.04.2008. Torkhov N. A., Babak L. I., Kokolov A. A., Salnikov A. S., Dobush I. M., Novikov V. A., Ivonin I. V. Nature of size effects in compact models of field effect transistors // Journal of Applied Physics. 2016. T. 119. C. 094505. Torkhov N. A., Babak L. I., Kokolov A. A., Salnikov A. S., Dobush I. M., Novikov V. A., Ivonin I. V. Nature of size effects in compact models of field effect transistors // Journal of Applied Physics. 2016. T. 119. C. 094505. Миронов Л. В. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. 2004. Mironov L. V. Osnovy skaniruyuschey zondovoy mikroskopii. Nizhniy Novgorod, Institut fiziki mikrostruktur RAN. 2004. Meyerhof W. E. Contact potential difference in silicon crystal rectifiers // Phys. Rev. 1947. T. 71, № 10. C. 727. Meyerhof W. E. Contact potential difference in silicon crystal rectifiers // Phys. Rev. 1947. T. 71, № 10. C. 727. Rhoderick E. H., Williams R. H. Metall-semiconductor contacts. 2nd ed. Clarendon. Oxford, 1988. Rhoderick E. H., Williams R. H. Metall-semiconductor contacts. 2nd ed. Clarendon. Oxford, 1988.