Infocommunications and Radio Technologies Infocommunications and Radio Technologies ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 2587-9936 52885 ФИЗИКА (01.04.00) PHYSICS (01.04.00) ФИЗИКА (01.04.00) Extraction parameters of the compact model of hardware components IC chip special purpose Экстракция параметров компактных моделей элементной базы интегральных микросхем специального назначения Ловшенко Иван Юрьевич Lovshenko Ivan Yu lovshenko@bsuir.by Стемпицкий Виктор Романович Stempitsky Victor R Шандарович Вероника Томашевна Shandarovich Veronika T Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ru Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics ru Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ru Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics ru Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ru Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics ru 25 12 2019 25 12 2019 2 4 456 465 20 12 2019 https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/52885/view

Представлены результаты применения процедуры экстракции параметров моделей МОП - транзистора и полевого транзистора с управляющим p - n - переходом, учитывающих воздействие радиационного излучения. Показано, что учет только части параметров, обладающих наибольшей чувствительностью к воздействию радиации, позволил сократить время проведения экстракции и упростить математические выражения, применяемые для расчета параметров.

The results of applying the procedure for extracting parameters models of MOS transistor and a field effect transistor with a p-n-junction, taking into account the effect of radiation, are presented. It is shown that taking into account only a part of the parameters with the highest sensitivity to radiation, allowed to reducing the time of extraction and simplify the mathematical expressions used to calculate the parameters.

 радиационная стойкость ионизирующее излучение приборно-техническое моделирование САПР SPICE модель экстракция hardness ionizing radiation instrumentation modeling CAD SPICE model extraction

Денисенко В. Моделирование МОП транзисторов. Методологический аспект // Компоненты и технологии. 2004. № 7. С. 26-29. № 8. С. 56-61. № 9. С. 32-39. Denisenko V. Modelirovanie MOP tranzistorov. Metodologicheskiy aspekt // Komponenty i tehnologii. 2004. № 7. S. 26-29. № 8. S. 56-61. № 9. S. 32-39. Chang-Liao K., Chang H. Extraction Method of Threshold Voltage and Transconductance to Assess Radiation Effects on MOS Circuits // Journal of Nuclear Science and Technology. 1999. 36:7. Pp. 630-632. Chang-Liao K., Chang H. Extraction Method of Threshold Voltage and Transconductance to Assess Radiation Effects on MOS Circuits // Journal of Nuclear Science and Technology. 1999. 36:7. Pp. 630-632. Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учетом воздействия стационарного радиационного излучения. В кн. : Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е. В. Арменского : материалы конф. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262-263. Ismail-Zade M. R., Samburskiy L. M. Programmno-apparatnyy kompleks dlya ekstrakcii parametrov SPICE-modeley MOP-tranzistorov s uchetom vozdeystviya stacionarnogo radiacionnogo izlucheniya. V kn. : Nauchno-tehnicheskaya konferenciya studentov, aspirantov i molodyh specialistov NIU VShE im. E. V. Armenskogo : materialy konf. M. : MIEM NIU VShE, 2015. S. 262-263. Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28. Petrosyanc K. O., Samburskiy L. M., Haritonov I. A., Yatmanov A. P. Kompaktnaya makromodel' KNI/KNS MOP-tranzistora, uchityvayuschaya radiacionnye effekty // Izvestiya vysshih uchebnyh zavedeniy. Elektronika. 2011. № 1 (87). S. 20-28. Prinzie J., Steyaert M., Leroux P. Radiation Effects in CMOS Technology. In : Radiation Hardened CMOS Integrated Circuits for Time-Based Signal Processing. 2018. P. 1-20. Prinzie J., Steyaert M., Leroux P. Radiation Effects in CMOS Technology. In : Radiation Hardened CMOS Integrated Circuits for Time-Based Signal Processing. 2018. P. 1-20. Chauhan Y. S., Niknejad Ali M., Hu C. BSIM4 4.8.1 MOSFET Model. Berkeley : University of California. 2017. 177 p. Chauhan Y. S., Niknejad Ali M., Hu C. BSIM4 4.8.1 MOSFET Model. Berkeley : University of California. 2017. 177 p. Antognetti P. Semiconductor Device Modeling with SPICE. McGraw-Hill. 1988. Antognetti P. Semiconductor Device Modeling with SPICE. McGraw-Hill. 1988. Сайт фирмы Silvaco [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://www.silvaco.com/ Sayt firmy Silvaco [Elektronnyy resurs]. Rezhim dostupa: https://www.silvaco.com/ Сайт фирмы Cadence [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://www.cadence.com/ Sayt firmy Cadence [Elektronnyy resurs]. Rezhim dostupa: https://www.cadence.com/