Infocommunications and Radio Technologies Infocommunications and Radio Technologies ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 2587-9936 52929 Электроника, фотоника, приборостроение и связь (2.2) ELECTRONICS, PHOTONICS, INSTRUMENTATION AND COMMUNICATIONS (2.2) Электроника, фотоника, приборостроение и связь (2.2) Sources of submillimeter waves based on silicon IMPATT diodes Источники субмиллиметрового излучения на кремниевых лавинно-пролетных диодах Карушкин Николай Федорович Karushkin Nikolai F nkarushkin001@gmail.com Обухов Илья Андреевич Obukhov Ilya Andreevich iao001@mail.ru

доктор физико-математических наук;

doctor of physical and mathematical sciences;

 Научно-исследовательский институт «Орион» Киев Украина Scientific Research Institute “Orion” Kiev Ukraine Научно-производственное предприятие «Радиотехника» Москва Россия Scientific-Industrial Company “Radiotechnika” Moscow Russian Federation 25 06 2021 25 06 2021 4 2 95 106 20 06 2021 https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/52929/view

Представлены результаты работ по созданию источников электромагнитного излучения в субмиллиметровом диапазоне длин волн с использованием кремниевых лавинно-пролетных диодов. Показано, что минимальные контурные потери и максимальная выходная мощность приборов достигаются при использовании колебательной системы на открытой радиальной линии. Приводятся схемы конструкций источников СВЧ излучения, эквивалентные схемы и их основные параметры в интервале температур от 77 К до 300 К.

Results of works in the field of submillimeter waves sources creation based on silicon IMPATT diodes are presented. It is shown that minimum contour losses and maximum output power of devices are achieved by using of oscillating system based on an open radial line. Designs of radiation sources, equivalent electrical circuits and their base parameters in the temperature range from 77 K to 300 K are given.

 генератор субмиллиметровый диапазон терагерцовый диапазон кремний лавинно-пролетный диод радиальная линия generator submillimeter diapason terahertz diapason silicon IMPATT diode radial line

Касаткин Л. В., Чайка В. Е. Полупроводниковые устройства диапазона миллиметровых волн. Севастополь : Вебер, 2006. 319 с. Kasatkin L. V., Chayka V. E. Poluprovodnikovye ustroystva diapazona millimetrovyh voln. Sevastopol' : Veber, 2006. 319 s. Othman M. A., Arshad N. S. M., Hussain M. N. [et. al.] Si IMPATT Diode Optimization for Performance Analysis : an Overview // Journal of Engineering and Applied Sciences. 2014. Vol. 9, No. 7. P. 1140-1148. Othman M. A., Arshad N. S. M., Hussain M. N. [et. al.] Si IMPATT Diode Optimization for Performance Analysis : an Overview // Journal of Engineering and Applied Sciences. 2014. Vol. 9, No. 7. P. 1140-1148. Балабанов В. М., Карушкин Н. Ф., Обухов И. А., Смирнова Е. А. Источники СВЧ-мощности на лавинно-пролетных диодах в коротковолновой части миллиметрового диапазона. В сб. : 27-я Междунар. Крымская конф. «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии» - КрыМиКо’2017 (Севастополь, 10-16 сент. 2017 г.). 2017. С. 109-117. Balabanov V. M., Karushkin N. F., Obuhov I. A., Smirnova E. A. Istochniki SVCh-moschnosti na lavinno-proletnyh diodah v korotkovolnovoy chasti millimetrovogo diapazona. V sb. : 27-ya Mezhdunar. Krymskaya konf. «SVCh tehnika i telekommunikacionnye tehnologii» - KryMiKo’2017 (Sevastopol', 10-16 sent. 2017 g.). 2017. S. 109-117. Карушкин Н. Ф., Обухов И. А., Смирнова Е. А. Пат. 2657324(РФ). Применение промышленного часового камня в качестве корпуса полупроводникового устройства миллиметрового диапазона длин волн. Опубл. в Б. И. 2018. № 17. Karushkin N. F., Obuhov I. A., Smirnova E. A. Pat. 2657324(RF). Primenenie promyshlennogo chasovogo kamnya v kachestve korpusa poluprovodnikovogo ustroystva millimetrovogo diapazona dlin voln. Opubl. v B. I. 2018. № 17. Белоусов Н. П., Гудзь И. А, Новожилов В. В., Чайка В. Е. Исследование характеристик кремниевых ЛПД в коротковолновой части миллиметрового диапазона // Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. 1979. Вып. 2. С. 55-63. Belousov N. P., Gudz' I. A, Novozhilov V. V., Chayka V. E. Issledovanie harakteristik kremnievyh LPD v korotkovolnovoy chasti millimetrovogo diapazona // Elektronnaya tehnika. Seriya 1. Elektronika SVCh. 1979. Vyp. 2. S. 55-63.