Infocommunications and Radio Technologies Infocommunications and Radio Technologies ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 2587-9936 53379 10.29039/2587-9936.2022.05.3.23 Электроника, фотоника, приборостроение и связь (2.2) ELECTRONICS, PHOTONICS, INSTRUMENTATION AND COMMUNICATIONS (2.2) Электроника, фотоника, приборостроение и связь (2.2) INTEGRATED OPTICAL WAVEGUIDES BASED ON Si3N4 FILMS ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ВОЛНОВОДЫ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК Si3N4 Кулинич Иван Владимирович Kulinich Ivan V. kulinich@micran.ru

кандидат технических наук;

candidate of technical sciences;

 Сомогонянц Алина Алексеевна Somogonyants Alina A. Шестериков Евгений Викторович Shesterikov Evgeniy V. Моховиков Денис Максимович Mokhovikov Denis Maksimovich Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Томск Россия Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics Tomsk Russian Federation Институт оптики атмосферы им. В. Е. Зуева СО РАН Томск Россия V.E. Zuev Institute of Atmospheric Optics SB RAS Tomsk Russian Federation Институт оптики атмосферы им. В. Е. Зуева СО РАН Томск Россия V.E. Zuev Institute of Atmospheric Optics SB RAS Tomsk Russian Federation Институт оптики атмосферы им. В. Е. Зуева СО РАН Томск Россия V.E. Zuev Institute of Atmospheric Optics SB RAS Tomsk Russian Federation Институт оптики атмосферы им. В. Е. Зуева СО РАН Томск Россия V.E. Zuev Institute of Atmospheric Optics SB RAS Tomsk Russian Federation 28 09 2022 28 09 2022 5 3 318 324 20 09 2022 20 09 2022 https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/53379/view

В работе представлены исследования, направленные на разработку технологии формирования гребенчатого интегрально-оптического волновода на основе пленки Si3N4. Приведены результаты исследования влияния режимов плазменного осаждения на структуру пленок SiO2 и Si3N4 и режимов плазменного травления волновода на профиль гребенки и шероховатость поверхности.

The paper presents studies at developing a technology for the formation of a rib integrated optical waveguide based on a Si3N4 film. The effect of ICP deposition modes on the structure of SiO2 and Si3N4 films and the effects of RIE etching of the waveguide on the rib profile and surface roughness are studied.

 фотонные интегральные схемы фазовая решетка нитрид кремния на изоляторе PIC phase grating silicon nitride on insulator. Отработка технологических режимов травления оптических волноводов выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 21-79-10077. Расчеты геометрических размеров оптических волноводов проводились в рамках ГЗ НИОКТР № АААА-А19-119110690036-9 Development of technological modes of etching of optical waveguides was carried out at the expense of the Russian Science Foundation grant No. 21-79-10077. Calculations of the geometrical dimensions of optical waveguides were carried out in the framework of the GR NIOKTR No. AAAA-A19-119110690036-9

Antelius M., Gylfason K. B., Sohlstrom H. An apodized SOI waveguide-to-fiber surface grating coupler for single lithography silicon photonics // Opt. Express. 2011. Vol. 19. P. 3592-3598. M. Antelius, K. B. Gylfason, and H. Sohlström, “An apodized SOI waveguide-to-fiber surface grating coupler for single lithography silicon photonics,” Optics Express, vol. 19, no. 4, p. 3592, Feb. 2011, doi: 10.1364/oe.19.003592. Никоноров Н. В., Шандаров С. М. Волноводная фотоника : курс лекций. СПб : СПбГУ ИТМО, 2008. 143 с. N. V. Nikonorov and S. M. Shandarov, Waveguide photonics: a course of lectures, St. Petersburg: SPbGU ITMO, 2008. (In Russ.). Chrostowski L., Hochberg M. Silicon photonics design : from devices to systems. Cambridge : Cambridge University Press, 2015. L. Chrostowski and M. Hochberg, Silicon photonics design: from devices to systems. Cambridge: Cambridge University Press, 2015, doi: 10.1017/CBO9781316084168. Гребенчатый Y-делитель на основе тонкопленочного ниобата лития / И. В. Кулинич и др. // Наноиндустрия. 2020. Т. 13, № S5-2 (102). С. 370-374. I. V. Kulinich, A. A. Gulyaeva, E. V. Shesterikov, V. A. Dybov, and A. I. Kazimirov, “Comb Y-division based on thin-film lithium niobate,” Nanoindustry Russia, vol. 13, no. 5s, pp. 370-374, Dec. 2020, doi: 10.22184/1993-8578.2020.13.5s.370.374. (In Russ.). Обзор геометрических параметров решеточных элементов на основе материалов Si/SO2 и Si3N4/SiO2 / О. В. Тертишная и др. В сб. : Электронные средства и системы управления. Материалы докладов Международной научно-практической конференции. 2021. № 1-1. С. 37-41. O. V. Tertishnaya, I. V. Kulinich, A. A. Sogomonyants, and A. A. Gulyaeva “Review of geometric parameters of lattice elements based on Si/SO2 and Si3N4/SiO2 materials, Electronic means and control systems. Materials of reports of the International scientific-practical conference, no. 1-1. pp. 37-41, 2021. (In Russ.).