Russian Journal of Biological Physics and Chemisrty Russian Journal of Biological Physics and Chemisrty АКТУАЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ БИОЛОГИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ И ХИМИИ 2499-9962 54194 НАНОБИОФИЗИКА NANOBIOPHYSICS НАНОБИОФИЗИКА Adhesion of microorganism's cells to nanofilms of silicon carbide on silicon Адгезия клеток микроорганизмов к нанопленкам карбида кремния на кремнии Кукушкин С А Kukushkin S A Осипов А В Osipov A V Абрамов Е Г Abramov E G Богомолова Е В Bogomolova E V Панина Л К Panina L K lkpanina@yandex.ru Институт проблем машиноведения РАН ru Institute of Problems of Mechanical Engineering, RAS ru Институт проблем машиноведения РАН ru Institute of Problems of Mechanical Engineering, RAS ru Санкт-Петербургский государственный университет ru Saint-Petersburg State University ru Санкт-Петербургский государственный университет; Ботанический институт им. В.Л. Комарова РАН ru Saint-Petersburg State University; Komarov Botanical institute RAS ru Санкт-Петербургский государственный университет ru Saint-Petersburg State University ru 25 06 2017 25 06 2017 2 1 369 371 20 06 2017 20 06 2017 https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/54194/view

Исследована адгезия микроорганизмов Saccharomyces cerevisiae к нанопленкам карбида кремния на кремнии (SiC/Si). Показано, что для дрожжевых клеток коэффициент адгезии достигает 0,96. Тонкие нанослои, толщиной порядка 100 нм, карбида кремния SiC на кремниевой подложке представляют собой гетероструктуру, на поверхности которой возникает сильный электрический заряд. Это делает пленку SiC/Si уникальной поверхностью для исследования процессов адгезии различных микроорганизмов.

The adhesion of Saccharomyces cerevisiae microorganisms to silicon carbide nanofilms on silicon (SiC / Si) has been investigated. It is shown that for the yeast cells the adhesion coefficient reaches 0.96. Thin nanolayers, with a thickness of about 100 nm, silicon carbide SiC on a silicon substrate, represent a heterostructure, on the surface of which a strong electric charge arises. This makes the SiC / Si film a unique surface for studying the adhesion processes of various microorganisms.

 адгезия микроорганизмы клетка нанопленки SiC/Si adhesion microorganisms cell nanofilms of SiC/Si

Звягинцев Д.Г. Взаимодействие микроорганизмов с твердыми поверхностями. М.: Изд. МГУ, 1973, 175 с. [Kaznacheev I.V., Gumargalieva K.Z., et al. Adhesion of various microscopic fungi to hydrophobic and hydrophilic materials. Microbiologicheskii zhurnal,. 1988, vol. 50, no. 6, pp. 68-70 (In Russ.)] Zvyagincev D.G. Vzaimodeystvie mikroorganizmov s tverdymi poverhnostyami. M.: Izd. MGU, 1973, 175 s. [Kaznacheev I.V., Gumargalieva K.Z., et al. Adhesion of various microscopic fungi to hydrophobic and hydrophilic materials. Microbiologicheskii zhurnal,. 1988, vol. 50, no. 6, pp. 68-70 (In Russ.)] Казначеев И.В., Гумаргалиева К.З., Миронова С.Н., Моисеев Ю.В. Адгезия различных микроскопических грибов к гидрофобным и гидрофильным материалам. Микробиологический журнал, 1988, т. 50, № 6, с. 68-70. [Gorbushina A.A., Panina L.K. Adhesion of conidia of micromycetes to polymeric materials. Mycologia I phytopatologia, 1992, vol. 26, iss. 5, pp. 372-377 (In Russ.)] Kaznacheev I.V., Gumargalieva K.Z., Mironova S.N., Moiseev Yu.V. Adgeziya razlichnyh mikroskopicheskih gribov k gidrofobnym i gidrofil'nym materialam. Mikrobiologicheskiy zhurnal, 1988, t. 50, № 6, s. 68-70. [Gorbushina A.A., Panina L.K. Adhesion of conidia of micromycetes to polymeric materials. Mycologia I phytopatologia, 1992, vol. 26, iss. 5, pp. 372-377 (In Russ.)] Горбушина А.А., Панина Л.К. Адгезия конидий микромицетов к полимерным материалам. Микология и фитопат., 1992, т. 26, вып. 5, с. 372-377. [Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. Synthesis of epitaxial silicon carbide films by substitution of atoms in the silicon lattice. FTT, 2014, vol. 56, iss. 8, pp. 1457-1485 (In Russ.)] Gorbushina A.A., Panina L.K. Adgeziya konidiy mikromicetov k polimernym materialam. Mikologiya i fitopat., 1992, t. 26, vyp. 5, s. 372-377. [Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. Synthesis of epitaxial silicon carbide films by substitution of atoms in the silicon lattice. FTT, 2014, vol. 56, iss. 8, pp. 1457-1485 (In Russ.)] Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. Синтез эпитаксиальных пленок карбида кремния методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния. ФТТ. 2014, т. 56, вып. 8, с. 1457-1485. [Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. Synthesis of epitaxial silicon carbide films by substitution of atoms in the silicon lattice. FTT. 2014, vol. 56, iss. 8, pp. 1457-1485 (In Russ.)] Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. Sintez epitaksial'nyh plenok karbida kremniya metodom zamescheniya atomov v kristallicheskoy reshetke kremniya. FTT. 2014, t. 56, vyp. 8, s. 1457-1485. [Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. Synthesis of epitaxial silicon carbide films by substitution of atoms in the silicon lattice. FTT. 2014, vol. 56, iss. 8, pp. 1457-1485 (In Russ.)] Kukushkin S.A., Osipov A.V. Topical Review. Theory and practice of SiC growth on Si and its applications to wide-gap semiconductor films. J. of Phys. D: Appl. Phys., 2014, vol. 47, pp. 313001-313041. [Kukushkin S.A., Osipov A.V. Topical Review. Theory and practice of SiC growth on Si and its applications to wide-gap semiconductor films. J. of Phys. D: Appl. Phys.,2014, vol. 47, pp. 313001-313041 (In Russ.)] Kukushkin S.A., Osipov A.V. Topical Review. Theory and practice of SiC growth on Si and its applications to wide-gap semiconductor films. J. of Phys. D: Appl. Phys., 2014, vol. 47, pp. 313001-313041. [Kukushkin S.A., Osipov A.V. Topical Review. Theory and practice of SiC growth on Si and its applications to wide-gap semiconductor films. J. of Phys. D: Appl. Phys.,2014, vol. 47, pp. 313001-313041 (In Russ.)] Гращенко А.С., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Калинина Е.В., Кукушкин С.А. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния. Физика и техника полупроводников. 2017, т. 51, вып. 5, с. 611-627. Graschenko A.S., Feoktistov N.A., Osipov A.V., Kalinina E.V., Kukushkin S.A. Fotoelektricheskie harakteristiki struktur karbid kremniya-kremniy, vyraschennyh metodom zamescheniya atomov v kristallicheskoy reshetke kremniya. Fizika i tehnika poluprovodnikov. 2017, t. 51, vyp. 5, s. 611-627. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов. Письма в журнал технической физики, 2017, т. 43, вып. 13, с. 81-88. [Kukushkin S.A., Osipov A.V. The Gorsky Effect in the Synthesis of Silicon-Carbide Films from Silicon by Topochemical Substitution of Atoms. Technical Physics Letters, 2017, vol. 43, no. 7, pp. 81-88 (In Russ.)] Kukushkin S.A., Osipov A.V. Effekt Gorskogo pri sinteze plenok karbida kremniya iz kremniya metodom topohimicheskogo zamescheniya atomov. Pis'ma v zhurnal tehnicheskoy fiziki, 2017, t. 43, vyp. 13, s. 81-88. [Kukushkin S.A., Osipov A.V. The Gorsky Effect in the Synthesis of Silicon-Carbide Films from Silicon by Topochemical Substitution of Atoms. Technical Physics Letters, 2017, vol. 43, no. 7, pp. 81-88 (In Russ.)] Бенеманская Г.В., Дементьев П.А., Кукушкин С.А., Лапушкин М.Н., Осипов А.В., Тимошнев С.Н. Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4◦ и интерфейса Cs/SiC(100) 4°. Письма в ЖТФ. 2016, т. 42, вып. 23, с. 51-57. [Benemanskaya G.V., Dementev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Timoshnev S.N. Photoemission Studies of the Vicinal SiC (100) 40 Surface and the Cs/SiC/(100) 4° Interface. Technical Physical Letters, 2016, vol. 42, iss. 23, pp. 51-57 (In Russ.)] Benemanskaya G.V., Dement'ev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Timoshnev S.N. Fotoemissionnye issledovaniya vicinal'noy poverhnosti SiC(100) 4◦ i interfeysa Cs/SiC(100) 4°. Pis'ma v ZhTF. 2016, t. 42, vyp. 23, s. 51-57. [Benemanskaya G.V., Dementev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Timoshnev S.N. Photoemission Studies of the Vicinal SiC (100) 40 Surface and the Cs/SiC/(100) 4° Interface. Technical Physical Letters, 2016, vol. 42, iss. 23, pp. 51-57 (In Russ.)]