Infocommunications and Radio Technologies Infocommunications and Radio Technologies ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 2587-9936 69599 10.29039/2587-9936.2023.06.3.21 Электроника, фотоника, приборостроение и связь (2.2) ELECTRONICS, PHOTONICS, INSTRUMENTATION AND COMMUNICATIONS (2.2) Электроника, фотоника, приборостроение и связь (2.2) Field Effect Transistor with Metal Gate Полевой транзистор с металлическим затвором Обухов Илья Андреевич Obukhov Ilya Andreevich iao001@mail.ru

доктор физико-математических наук;

doctor of physical and mathematical sciences;

 Научно-производственное предприятие «Радиотехника» Москва Россия Scientific-Industrial Company “Radiotechnika” Moscow Russian Federation 28 08 2023 28 08 2023 6 3 275 284 27 05 2023 31 05 2023 https://rusjbpc.ru/en/nauka/article/69599/view

Представлена конструкция и описан принцип функционирования полевого транзистора на основе полупроводникового нанопровода с затвором из металла. Оценена подпороговая крутизна прибора и показано, что она может превышать термоэмиссионный предел (значение e/k_B T).

The design and the principle of operation of a field effect transistor based on a semiconductor nanowire with a metal gate is presented and described. The subthreshold slope of the device has been estimated and was shown that it may to exceed the thermionic limit (value e/k_B T).

 полевой транзистор нанопровод размерное квантование металлический затвор. field effect transistor nanowire dimensional quantization metal gate

Красников Г. Я. Возможности микроэлектронных технологий с топологическими размерами менее 5 нм // Наноиндустрия. 2020. Т. 1, № S5-1 (102). С. 13-19. G. Ya. Krasnikov, “The Capabilities of Microelectronic Processes with 5 nm Critical Dimension and Less,” Nanoindustry, vol. 1, no S5-1 (102), pp. 13-19, 2020 (In Russ.). DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.5s.13.19. Обухов И. А. Моделирование переноса заряда в мезоскопических структурах. Москва - Киев - Минск - Севастополь : «Вебер», 2005. 226 с. I. A. Obukhov, Modeling of Charge Transfer in Mesoscopic Structures, Moscow-Kyiv-Minsk-Sevastopol : Weber Publ. Co., 2005. (In Russ.). Обухов И. А. Многокомпонентная модель переноса заряда в квантовых полупроводниковых приборах // Нано- и микросистемная техника. 2021. Том 23, № 1. С. 24-31. I. A. Obukhov, “Multicomponent Model of Charge Transport in Quantum Semiconductor Devices,” Nano- i mikrosistemnaya tekhnika, vol. 23, no. 1, pp. 24-31, 2021, doi: 10.17587/nmst.23.24-31. Особенности проявления квантового размерного эффекта в явлениях переноса в тонких пленках висмута на подложках из слюды / Е. В. Демидов и др. // Физика и техника полупроводников. 2019. Том 53, вып. 6. С. 736-740. E. V. Demidov et al., “The Quantum Size Effect Specific Features of in the Transport Phenomena in Thin Bismuth Films on Mica Substrates,” Fizika i tekhnika poluprovodnikov, vol. 53, no 6. pp. 736-740, 2019. (In Russ.). DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47718.27.