В локальном приближении исследовано влияние процессов имплантации ионов хлора Cl++ в эпитаксиальные слои арсенида галлия GaAs { 100 } на фрактальные размерности Dfфункциональных пространств S слоевых сопротивлений RSH эпитаксиальных слоев n-GaAs S (RSH) и функциональных пространств S (rc) удельных сопротивлений сплавных rc омических контактов. Обнаружено изменение внутренней геометрии исследуемых объектов под воздействием облучения.
имплантация, тяжелые ионы, размерный эффект, арсенид галлия, гетероэпитаксиальные структуры
1. Комаров Ф. Ф., Комаров А. Ф. Физические процессы при ионной имплантации в твердые тела. Минск : УП «Технопринт», 2001.
2. Nastasi M., Mayer J. W. Ion Implantation and Synthesis of Materials. Springer Series in Materials Science. 2006. 266 p.
3. Новицкий С. В. Методологические аспекты измерения удельного контактного сопротивления TLM методом с линейной и радиальной геометрией контактов. Материалы электронной техники. Петербургский журнал электроники. 2013. Т. 3. С. 59-71.
4. Торхов Н. А., Новиков В. А., Ивонин И. В. Влияние размерных эффектов на контактное сопротивление омических контактов. В кн. : 25-я Междунар. Крымская конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» - КрыМиКо’2015 (Севастополь, 6-12 сент. 2015 г.). 2015. С. 609-610.
5. Торхов Н. А. Размерные эффекты в электрических характеристиках омических контактов к AlGaN/GaN гетероэпитаксиальным структурам. 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. «Мокеровские чтения». Москва, 25 мая 2016 г. С. 51-52.
6. Колмогоров А. Н., Фомин С. В. Элементы теории функций и функционального анализа. М. : Наука, 1976. 543 с.
7. Torkhov N. A. Method to Determine the Interface’s Fractal Dimensions of Metal-Semiconductor Electric Contacts from Their Static Instrumental Characteristics // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2010. Vol. 4, No. 1. Pp. 45-58.
8. Torkhov N. A., Babak L. I., Kokolov A. A. The Influence of AlGaN/GaN Heteroepitaxial Structure Fractal Geometry on Size Effects in Microwave Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs // Symmetry. 2019, 11, 1495.
9. Торхов Н. А. Слоевое сопротивление TiAlNiAu тонкопленочной металлизации омических контактов к нитридным полупроводниковым структурам // ФТП. 2019. Т. 53, № 1. С. 32-40.
