г. Москва и Московская область, Россия
Проведено исследование остаточных и переходных радиационных эффектов при воздействии стационарного и импульсного облучения гамма-квантами на характеристики датчиков ультрафиолетового излучения на основе природного алмаза с различными концентрациями сопутствующей примеси азота. Установлено, что влияние переходных радиационных эффектов может быть оценено с помощью модели BARITT диода.
гамма излучение, радиационные эффекты, датчики, ультрафиолетовое излучение
1. Gromov D. V., Kvaskov V. B., Maltsev P. P., Nikiforov A. Y., Telets V. A. Ultraviolet Sensors Based on the Natural Diamond // Proc. of the Evrosensors X Conference, (Leuven, Belgium, 8-11 September (1996)). Vol. 5. Pp.1441-1444.
2. Denisenko A., Fahner W. R., Strahle U., Henschel H., Job R. Radiation Response of p-i-p Diodes on Diamond Substrates of Various Type : Electrical Properties of Semiconductor-Insulator Homojunctions // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, No. 6. Pp. 3081-3088.
3. Chaffin R. G. Microwave semiconductor devices : Fundamentals and radiation effects. John Wiley & Sons, N.Y., 1973. 320 p.
