Москва, г. Москва и Московская область, Россия
Москва, г. Москва и Московская область, Россия
Проанализировано влияние различных видов излучения и тяжелых ядерных частиц (ТЧ) на СБИС, изготавливаемых по КМОП технологиям объемного кремния (ОК) уровня 250—90 нм. Разработаны и аттестованы на тестовых кристаллах (ТК) конструктивно-топологические и схемотехнические решения элементов цифровых библиотек, сложно-функциональных (СФ) блоков ОЗУ и периферийных блоков смешанного сигнала для проектирования радиационно-стойких СБИС типа «система-на-кристалле» (СнК) и ОЗУ категории РС2 (изделия с повышенным уровнем радиационной стойкости). Получила дальнейшее развитие методология радиационно-стойкого проектирования (РСП). Для средств САПР создана среда проектирования СБИС категории РС2 для изготовления на российских фабриках по доступным КМОП технологиям ОК. На основе данной среды проектирования созданы конкурентоспособные радиационно-стойкие высокопроизводительные процессорные КМОП СБИС СнК и СБИС ОЗУ. Базовые технические решения защищены патентами РФ.
объемный кремний, эффект «защелкивания», радиационная стойкость, радиационно-стойкое проектирование, сложно-функциональный блок, СБИС «система-на-кристалле», СБИС ОЗУ, тяжелые ядерные частицы
1. Никифоров А. Ю., Телец В. А., Бойченко Д. В. Требования радиационной стойкости - экзотика для гурманов или гарантия наличия и технического уровня результата разработки для всех категорий потребителей ЭКБ? // Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 39-41.
2. Радиационно-стойкое проектирование высокопроизводительных нанометровых КМОП СБИС «система-на-кристалле» / Ю. М. Герасимов и др. // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. 2019. Т. 2, № 1. С.33-51.
3. Герасимов Ю. М., Григорьев Н. Г., Петричкович Я. Я. Радиационно-стойкое проектирование нанометровых КМОП СБИС : реалии и мифы // Наноиндустрия. 2020. Том 13, № S5-2 (102). С. 319-324.
4. От первых КМОП транзисторов до радиационно-стойких нанометровых КМОП СБИС СнК / Ю. М. Герасимов и др. // Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 268-274.
5. Радиационная стойкость изделий ЭКБ / под ред. А. И. Чумакова. М. : НИЯУ МИФИ, 2015. 512 с.
6. Чумаков А. И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М. : Радио и связь, 2004. 320 с.
7. Тестовые кристаллы для расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости нанометровых КМОП СБИС СнК / Ю. М. Герасимов и др. // Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 202-210.
8. Пат. 2674415 (РФ). Радиационно-стойкая библиотека элементов на комплементарных метал-окисел-полупроводник транзисторах / Герасимов Ю. М. и др. Опубл. в Б. И., 2018. № 34.
9. Modeling of Single Event Transients With Dual Double-Exponential Current Sources: Implications for Logic Cell Characterization / D. A. Black et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2015. Vol. 62, no. 4. P. 1540-1549.
10. Messenger G. C. Collection of charge on junction nodes from ion tracks // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1982. Vol. 29, no. 6. P. 2024-2031.
11. Single event transient pulsewidths in digital microcircuits / M. J. Gadlage et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2004. Vol. 51, no. 6. P. 3285-3290.
12. Zoutendyk J. A., Smith L. S., Soli G. A. Experimental evidence for a new single-event upset (SEU) mode in CMOS SRAM obtained from model verification // IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1987. Vol. NS-34, no. 6. P. 1292-1299.
13. Особенности проектирования сбоеустойчивых, сверхбыстродействующих логических цепей КМОП СБИС СнК / Ю. М. Герасимов и др. // Наноиндустрия. 2020. № S (96). Ч. I. С. 220-228.
14. Пат. 2692307 (РФ). Радиационно-стойкий элемент памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах / Ю. М. Герасимов и др. Опубл. в Б. И. 2019. № 18.
15. Радиационно-стойкое КМОП статическое ОЗУ 16 Мбит 1657РУ2У / Ю. М. Герасимов и др. // Наноиндустрия. 2020. № S (96). Ч. I. С.169-174.
16. Пат. 2763038 (РФ) Управляемый напряжением блок кольцевых генераторов на комплементарных метал-окисел-полупроводник (КМОП) транзисторах / В. Д. Байков и др. Опубл. в Б. И. 2022. № 36.
17. A Single-Event-Hardened Phase-Locked Loop Fabricated in 130 nm CMOS / T. D. Loveless et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2007. Vol. 54, no. 6. P. 2012-2020.
