В работе выполнено исследование электротранспортных характеристик однослойного германена во внешнем постоянном электрическом поле. Малая запрещенная щель германена поддается управлению электрическим полем, адсорбцией различных атомов, деформацией и взаимодействием с подложкой. Используя метод квазиклассического приближения получено аналитическое соотношение для удельной проводимости однослойного германена. Эволюция электронной системы германеновых листов описывалась с помощью кинетического уравнения Больцмана в рамках квазиклассического приближения времени релаксации. В качестве геометрической модели германеновой наноленты выбирался двумерный гексагональный слой. Математическая модель электронного строения недеформированных германеновых нанолент строится на основе их геометрического строения и зонной структуры гексагонального слоя. Используется зонная структура нанолент в рамках метода сильной связи в приближениях Хюккеля и ближайших соседей. Исследованы зависимости удельной проводимости германеновых слоев различной хиральности от величины напряженности внешнего электрического поля.
германен, электронный транспорт, электропроводность, наноструктуры, квазиклассическое приближение
1. Лозовик Ю.Е., Меркулова С.П., Соколик А.А. Коллективные электронные явления в графене. Успехи физических наук, 2008, т. 178, № 7, с. 758-776. @@Lozovik Yu.E., Merkulova S.P., Sokolik A.A., Collective electron phenomena in graphene. Phys. Usp., 2008, vol. 51, no. 7, 727-744. (In Russ.)
2. Чернозатонский Л.А., Сорокин П.Б., Артюх А.А. Новые наноструктуры на основе графена: физико-химические свойства и приложения. Успехи химии, 2014, т. 83, вып. 3, c. 251-279. @@Chernozatonskii L.A., Sorokin P.B., Artukh A.A. New nanostructures based on graphene: physical and chemical properties and applications. Russ. Chem. Rev., 2014, vol. 83, pp. 251-279. (In Russ.)
3. Lemme M.C. Current status of graphene transistors. Solid State Phenomena, 2009, vol. 156, pp. 499.
4. Davila M.E, Xian L., Cahangirov S., Rubio A., Le Lay G. Germanene: a novel two-dimensional germanium allotrope akin to graphene and silicene. New Journal of Physics, 2014, vol. 16, no. 9 p. 095002. doi:https://doi.org/10.1088/1367-2630/16/9/095002
5. Kyozaburo T., Kenji S. Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite. Physical Review B, 1994, vol. 50, no. 20, pp. 14916-14922. DOI:https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.14916
6. Cahangirov S., Topsakal M., Aktürk E., Şahin H., Ciraci S. Two- and one-dimensional honeycomb structures of silicon and germanium. Physical Review Letters, 2009, vol. 102, no. 23, p. 236804. doi:https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.102.236804
7. Lebe`gue S., Bjoerkman T., Klintenberg M., Nieminen R.M., Eriksson O. Two-Dimensional Materials from Data Filtering and Ab Initio Calculations. Physical Review X, 2013, vol. 3, p. 031002.
8. Mortazavi B., Rahaman O., Makaremi M., Dianat A., Cunibertic G., Rabczuk T. First-principles investigation of mechanical properties of silicene, germanene and stanine. Physica E, 2017, vol. 87, pp. 228-232.
9. Kazemlou V. Phirouznia A. Influence of compression strains on photon absorption of silicene and germanene. Superlattices and Microstructures, 2019, vol. 128, pp. 23-29.
10. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Физическая кинетика. Физ.-мат. лит., 1979, 528 c. @@Landau L.D., Lifshits E.M. Physical kinetics. Phys.-mat. lit., 1979, 528 p. (In Russ.)
11. Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках. Наук. думка, Киев, 1981, 320 c. @@Dykman I.M., Tomchuk P.M. Transport phenomena and fluctuations in semiconductors. Science. dumka, Kiev, 1981, 320 p. (In Russ.)
