Представлены результаты применения процедуры экстракции параметров моделей МОП - транзистора и полевого транзистора с управляющим p - n - переходом, учитывающих воздействие радиационного излучения. Показано, что учет только части параметров, обладающих наибольшей чувствительностью к воздействию радиации, позволил сократить время проведения экстракции и упростить математические выражения, применяемые для расчета параметров.
радиационная стойкость, ионизирующее излучение, приборно-техническое моделирование, САПР, SPICE, модель, экстракция
1. Денисенко В. Моделирование МОП транзисторов. Методологический аспект // Компоненты и технологии. 2004. № 7. С. 26-29. № 8. С. 56-61. № 9. С. 32-39.
2. Chang-Liao K., Chang H. Extraction Method of Threshold Voltage and Transconductance to Assess Radiation Effects on MOS Circuits // Journal of Nuclear Science and Technology. 1999. 36:7. Pp. 630-632.
3. Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учетом воздействия стационарного радиационного излучения. В кн. : Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е. В. Арменского : материалы конф. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262-263.
4. Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28.
5. Prinzie J., Steyaert M., Leroux P. Radiation Effects in CMOS Technology. In : Radiation Hardened CMOS Integrated Circuits for Time-Based Signal Processing. 2018. P. 1-20.
6. Chauhan Y. S., Niknejad Ali M., Hu C. BSIM4 4.8.1 MOSFET Model. Berkeley : University of California. 2017. 177 p.
7. Antognetti P. Semiconductor Device Modeling with SPICE. McGraw-Hill. 1988.
8. Сайт фирмы Silvaco [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://www.silvaco.com/
9. Сайт фирмы Cadence [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://www.cadence.com/
