Калуга, Калужская область, Россия
Рассмотрена проблема математического моделирования диффузии неравновесных неосновных носителей заряда, генерируемых киловольтными электронами, в полупроводниковых мишенях. Рассмотрены модели, позволяющие проводить расчеты в однородных мишенях и многослойных планарных полупроводниковых структурах. При проведении расчетов использовался матричный метод, позволяющий решать дифференциальные уравнения тепломассопереноса в многослойных планарных структурах с произвольным числом слоев. Приведены некоторые результаты математического моделирования процессов взаимодействия широких электронных пучков с планарными структурами для GaN и материалов подложки (SiC и Si).
математическое моделирование, полупроводники, широкий электронный пучок, неосновные носители заряда, диффузия
1. Properties, processing and application of GaN and related semiconductors. J. H. Edgar, ed. London : INSPEC, 1999. 830 p.
2. Nitride (GaN) // Physics. Devices, and Technology. Farid Medjdoub and Krzystof Iniewski, eds. CRC Press, 2003. Chapter 3. P. 63-109.
3. Group III nitride semiconductor compounds. B. Gil, ed. Oxford : Oxford University Press, 1998. 492 p.
4. Scanning Microscopy for Nanotechnology. Techniques and Applications. W. Zhou and Z. L. Wang, eds. New York : Springer, 2007. 522 p.
5. SEM Microcharacterization of Semiconductors. D. B. Holt and D. C. Joy, eds. London : Academic Press, 1989. 452 p.
6. Wittry D. B., Kyser D. F. Measurements of diffusion lengths in direct-gap semiconductors by electron beam excitation // J. Appl. Phys. 1967. Vol. 38, no. 1. P. 375-382.
7. Evеrhart T. Е., Hoff P. H. Determination of kilovolt еlесtron еnеrgy dissipation vеrsus pеnеtration distanсе in solid matеrials // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42, no. 13. P. 5837-5846.
8. Mikheev N. N., Stepovich M. А. Distribution of energy losses in interaction of an electron probe with material // Industrial Laboratory. 1996. Vol. 62, no. 4. P. 221-226.
9. Stepovich M. A., Khokhlov A. G., Snopova M. G. Model of independent sources used for calculation of distribution of minority charge carriers generated in two-layer semiconductor by electron beam // Proc. SPIE. 2004. Vol. 5398. P. 159-165.
10. Burylova I. V., Petrov V. I., Snopova M. G., Stepovich M. A. Mathematical simulation of distribution of minority charge carriers, generated in multy-layer semiconducting structure by a wide electron beam // Semiconductors. 2007. Vol. 41, no. 4. P. 444-447.
11. Kalmanovich V. V., Seregina E. V., Stepovich M. A. Mathematical Modeling of Heat and Mass Transfer Phenomena Caused by Interaction between Electron Beams and Planar Semiconductor Multilayers // Bulletin of the Russian Academy of Sciences : Physics. 2020. Vol. 84, no. 7. P. 844-850.
12. Kalmanovich V. V., Seregina E. V., Stepovich M. A. Comparison of analytical and numerical modeling of distributions of nonequilibrium minority charge carriers generated by a wide beam of medium-energy electrons in a two-layer semiconductor structure // Journal of Physics : Conf. Series. Applied Mathematics, Computational Science and Mechanics : Current Problems. 2020. Vol. 1479, art. no. 012116.
