Институт оптики атмосферы им. В. Е. Зуева СО РАН
Томск, Томская область, Россия
Томск, Томская область, Россия
Институт оптики атмосферы им. В. Е. Зуева СО РАН
Томск, Томская область, Россия
Томск, Томская область, Россия
В работе представлены исследования, направленные на разработку технологии формирования гребенчатого интегрально-оптического волновода на основе пленки Si3N4. Приведены результаты исследования влияния режимов плазменного осаждения на структуру пленок SiO2 и Si3N4 и режимов плазменного травления волновода на профиль гребенки и шероховатость поверхности.
фотонные интегральные схемы, фазовая решетка, нитрид кремния на изоляторе
1. Antelius M., Gylfason K. B., Sohlstrom H. An apodized SOI waveguide-to-fiber surface grating coupler for single lithography silicon photonics // Opt. Express. 2011. Vol. 19. P. 3592-3598.
2. Никоноров Н. В., Шандаров С. М. Волноводная фотоника : курс лекций. СПб : СПбГУ ИТМО, 2008. 143 с.
3. Chrostowski L., Hochberg M. Silicon photonics design : from devices to systems. Cambridge : Cambridge University Press, 2015.
4. Гребенчатый Y-делитель на основе тонкопленочного ниобата лития / И. В. Кулинич и др. // Наноиндустрия. 2020. Т. 13, № S5-2 (102). С. 370-374.
5. Обзор геометрических параметров решеточных элементов на основе материалов Si/SO2 и Si3N4/SiO2 / О. В. Тертишная и др. В сб. : Электронные средства и системы управления. Материалы докладов Международной научно-практической конференции. 2021. № 1-1. С. 37-41.