Исследована адгезия микроорганизмов Saccharomyces cerevisiae к нанопленкам карбида кремния на кремнии (SiC/Si). Показано, что для дрожжевых клеток коэффициент адгезии достигает 0,96. Тонкие нанослои, толщиной порядка 100 нм, карбида кремния SiC на кремниевой подложке представляют собой гетероструктуру, на поверхности которой возникает сильный электрический заряд. Это делает пленку SiC/Si уникальной поверхностью для исследования процессов адгезии различных микроорганизмов.
адгезия, микроорганизмы, клетка, нанопленки
1. Звягинцев Д.Г. Взаимодействие микроорганизмов с твердыми поверхностями. М.: Изд. МГУ, 1973, 175 с. [Kaznacheev I.V., Gumargalieva K.Z., et al. Adhesion of various microscopic fungi to hydrophobic and hydrophilic materials. Microbiologicheskii zhurnal,. 1988, vol. 50, no. 6, pp. 68-70 (In Russ.)]
2. Казначеев И.В., Гумаргалиева К.З., Миронова С.Н., Моисеев Ю.В. Адгезия различных микроскопических грибов к гидрофобным и гидрофильным материалам. Микробиологический журнал, 1988, т. 50, № 6, с. 68-70. [Gorbushina A.A., Panina L.K. Adhesion of conidia of micromycetes to polymeric materials. Mycologia I phytopatologia, 1992, vol. 26, iss. 5, pp. 372-377 (In Russ.)]
3. Горбушина А.А., Панина Л.К. Адгезия конидий микромицетов к полимерным материалам. Микология и фитопат., 1992, т. 26, вып. 5, с. 372-377. [Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. Synthesis of epitaxial silicon carbide films by substitution of atoms in the silicon lattice. FTT, 2014, vol. 56, iss. 8, pp. 1457-1485 (In Russ.)]
4. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. Синтез эпитаксиальных пленок карбида кремния методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния. ФТТ. 2014, т. 56, вып. 8, с. 1457-1485. [Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. Synthesis of epitaxial silicon carbide films by substitution of atoms in the silicon lattice. FTT. 2014, vol. 56, iss. 8, pp. 1457-1485 (In Russ.)]
5. Kukushkin S.A., Osipov A.V. Topical Review. Theory and practice of SiC growth on Si and its applications to wide-gap semiconductor films. J. of Phys. D: Appl. Phys., 2014, vol. 47, pp. 313001-313041. [Kukushkin S.A., Osipov A.V. Topical Review. Theory and practice of SiC growth on Si and its applications to wide-gap semiconductor films. J. of Phys. D: Appl. Phys.,2014, vol. 47, pp. 313001-313041 (In Russ.)]
6. Гращенко А.С., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Калинина Е.В., Кукушкин С.А. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния. Физика и техника полупроводников. 2017, т. 51, вып. 5, с. 611-627.
7. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов. Письма в журнал технической физики, 2017, т. 43, вып. 13, с. 81-88. [Kukushkin S.A., Osipov A.V. The Gorsky Effect in the Synthesis of Silicon-Carbide Films from Silicon by Topochemical Substitution of Atoms. Technical Physics Letters, 2017, vol. 43, no. 7, pp. 81-88 (In Russ.)]
8. Бенеманская Г.В., Дементьев П.А., Кукушкин С.А., Лапушкин М.Н., Осипов А.В., Тимошнев С.Н. Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4◦ и интерфейса Cs/SiC(100) 4°. Письма в ЖТФ. 2016, т. 42, вып. 23, с. 51-57. [Benemanskaya G.V., Dementev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Timoshnev S.N. Photoemission Studies of the Vicinal SiC (100) 40 Surface and the Cs/SiC/(100) 4° Interface. Technical Physical Letters, 2016, vol. 42, iss. 23, pp. 51-57 (In Russ.)]
